规格：采用两个400mm400mm400mm方腔作为沉积腔室。蒸发源与溅射源分开，防止污染。极限真空可达到6E-5Pa；抽气速率40min内达到6E-4Pa。腔体漏率：小于1.0×10-10 Pa/( m3·s)。磁控溅射配备薄膜规，与流量计形成闭环控制真空度手套箱配备水分析仪：范围：0-1000ppm；误差：±1% ppm；环境：－10℃-50℃手套箱配备氧分析仪：范围：0-1000ppm；误差：±1% ppm；环境：－10℃-50℃。
设备名称: 磁控溅射镀膜系统
设备型号：Svac-FlimLab-G400S3
磁控溅射镀膜系统技术参数：
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- 电源：AC380V50Hz
- 最大功率：15KW
- 额定功率：6KW
- 接地线：室内具有独立接地线＜4Ω
- 整体泄漏率：≤1X10-9Pa.m3/S
- 空载极限真空：小于6.710-5Pa
- 靶材大小为直径50.8mm（2寸），根据阴极大小配置。靶材建议厚度≤5mm
- 阴极兼容直流电源和射频电源输入
- 常规磁场强度靶，不能溅射Ni，Fe等铁磁性材料，强磁阴极制备Fe，Ni等导磁材料
- 基片放置于腔体上方，采用导轨式安装，最大适合尺寸125125mm，厚度，最高4mm。样品台可加热，最高温度450度，温度控制精度±0.5度，可设定升温斜率，温度过冲小于1度。加热区内，温度均匀性±5℃。旋转、升降均采用步进电机驱动。
设备名称: 热蒸发镀膜系统
设备型号：Svac-FlimLab-G400T4O2
热蒸发镀膜系统技术参数：
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- 电源：AC380V50Hz
- 最大功率：15KW
- 额定功率：6KW
- 接地线：室内具有独立接地线＜4Ω
- 整体泄漏率：≤1X10-9Pa.m3/S
- 空载极限真空：小于6.710-5Pa
- 热蒸发电极材料：紫铜，两个电极中心间距：80mm，适用于蒸发舟尺寸：100mm10mm0.2mm
- 可蒸发金属：Ag，Au，Cu，Al（需采用陶瓷坩埚）等低熔点金属
- 可使用一台蒸发电源切换使用。最高加热电压6V，最大加热电流200A，电流调节精度0.01A，稳定精度±0.2A
- 冷态电阻：0.5欧姆
- 热电偶型号：K型
- 最高加热温度：650度，温度控制精度±0.3度
- 基片放置于腔体上方，采用导轨式安装，最大适合尺寸125125mm，厚度最高4mm。样品台可加热，最高温度450度，温度控制精度±0.5度，可设定升温斜率，温度过冲小于1度。加热区内，温度均匀性±5℃。旋转、升降均采用步进电机驱动。
应用范围：该系统由真空系统、样品台、磁控溅射模块/热蒸发模块、控制系统、膜厚监测系统等组成，适用于在高真空环境下制备金属膜薄，该设备可用于科研实验，也可用作教学及生产线前期工艺试验等。
Svac-FlimLab-G400系列高真空镀膜系统，性能优秀，功能全面，对于MEMS实验室以及半导体试验线尤为合适。
仪器共享平台：衢州学院机械工程学院
联系人：方兴博士15657051987/zjqzfangyu@sjtu.edu.cn
